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PHKD6N02LT-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PHKD6N02LT-HXY product

PHKD6N02LT-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-KanalSOP-820V

Der PHKD6N02LT ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(ON)
21 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

67ce778bae4af56092fb333d0bc48ce9_2404231036_HXY-MOSFET-PHKD6N02LT-HXY_C22367512.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PHKD6N02LT-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effiziente Schalt- und Batterieschutzanwendungen entwickelt wurde.