PJM04DP30DFA Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | PJSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

PJM04DP30DFA product

Der PJM04DP30DFA ist ein dualer P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im kompakten DFN2x2A-6L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Power-Management.

Ideal für

Tragbare Elektronik
Lastschaltung

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen mit hohem Wärmebedarf

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: -30 V
ID: -4.1 A
RDS(on): 60 mΩ (max)

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Power ManagementTragbare Geräte

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PJM04DP30DFA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -30V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -4.1A.