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PJM08N30DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PJM08N30DF product

PJM08N30DF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VDFN2x2

Der PJM08N30DF ist ein 30V, 8A N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN2x2-6L-Gehäuse, ideal für platzsparende Stromversorgungs- und Schaltaufgaben.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschalter
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Industrieanwendungen, die große Kühlkörper erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8 A
RDS(on)
20 mΩ
Gehäuse
DFN2x2-6L

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

060c49291e10413990aead8b9edd7b26_2406251631_PJSEMI-PJM08N30DF_C22470324.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PJM08N30DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von PJSEMI, der für effizientes Schalten in kompakten elektronischen Geräten entwickelt wurde.