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PJM10H03NSC KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PJM10H03NSC product

PJM10H03NSC

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23

Der PJM10H03NSC ist ein 100V, 3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-3-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und USV-Anwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
3 A
RDS(ON)
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PJM10H03NSC laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 3A.