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PMCB60XNZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMCB60XNZ product

PMCB60XNZ

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VTrench

Der PMCB60XN ist ein 30V N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten DSN1006-3-Gehäuse, ideal für platzkritische Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die eine große Wärmeabfuhr erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermischer Fußabdruck auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
4,5 A
RDS(on)
50 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMCB60XNZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der für das Schalten bei niedrigen Spannungen in ultrakleinen Formfaktoren optimiert ist.