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PMCPB5530X,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMCPB5530X,115 product

PMCPB5530X,115

MOSFETs - Single

MOSFETKomplementärTrenchN-KanalP-Kanal

Der PMCPB5530X ist ein komplementärer N/P-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten 2x2mm DFN-Gehäuse, ideal für platzsparende Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Ladeschalter für tragbare Geräte
  • DC-DC-Wandler
  • Kleine bürstenlose DC-Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die die thermischen Grenzen des 2x2mm-Gehäuses überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für das spezifische PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
20 V
RDS(on) N-ch
34 mΩ
RDS(on) P-ch
70 mΩ
Gehäuse
DFN2020-6

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Elektronik

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMCPB5530X,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar in Trench-Technologie, untergebracht in einem anschlusslosen DFN2020-6-Gehäuse.