ProjektePreiseInsights

PMF63UNE-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMF63UNE-HXY product

PMF63UNE-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-32320V

Der PMF63UNE ist ein 20V, 2A N-Kanal-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit hohem Wärmebedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
2A
RDS(on)
55mΩ (max) @ 4.5V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

036afd9aac415a02ba3bea631bbf351b_HXY MOSFET(华轩阳电子)&PMF63UNE-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMF63UNE-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.