Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, untergebracht in einem kleinen SOT457 (SC-74) SMD-Gehäuse.
PMN30XP,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- -20 V
- ID
- -6.8 A
- RDSon
- 30 mΩ
- Ptot
- 1400 mW
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungAllgemeines Schalten
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für PMN30XP,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
