ProjektePreiseInsights

PMV30UN2R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMV30UN2R product

PMV30UN2R

FETs

N-KanalTrench-MOSFETSOT2320V

Der PMV30UN2R ist ein 20V N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT23-Gehäuse, optimiert für effizientes Low-Side-Schalten und Power-Management.

Ideal für

  • Low-Side-Lastschaltung
  • LED-Ansteuerung
  • Kompaktes Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochleistungsdesigns, die eine signifikante Kühlung über SOT23 hinaus erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
4.2 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Power ManagementLED-Treiber

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMV30UN2R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, untergebracht in einem kleinen SOT23-Gehäuse für die Oberflächenmontage.