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PMV32UP-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMV32UP-HXY product

PMV32UP-HXY

MOSFETs

MOSFETP-KanalSOT-23

Der PMV32UP ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschalt- und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 1,4W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-20V
ID
-5A
RDS(on)
40mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

7fcdf8228f47a92189c19b61acf5918a_2403261654_HXY-MOSFET-PMV32UP-HXY_C22367510.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMV32UP-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für den Betrieb mit niedrigen Gate-Spannungen optimiert ist.