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PMV45EN2R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMV45EN2R product

PMV45EN2R

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT23Trench

Der PMV45EN2 ist ein 30V N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Low-Side-Last- und Relais-Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Relaistreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Hochspannungsisolierung oder extreme Leistungsaufnahme außerhalb der thermischen Grenzen des SOT23-Gehäuses erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen auf der Leiterplatte.
  • Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
5,1 A
RDSon
35 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

LeistungsschaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMV45EN2R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der in einem kleinen SOT23-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.