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PMXB65UPEZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMXB65UPEZ product

PMXB65UPEZ

FETs

MOSFETP-KanalTrench12V

Der PMXB65UPEZ ist ein 12V, 3,2A P-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten DFN1010D-3-Gehäuse, ideal für platzkritische Anwendungen im Energiemanagement.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung
  • Batteriebetriebene Geräte

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen (>12V)
  • Hochstromanwendungen (>3,2A)

Vor der Verwendung prüfen

  • Layout des thermischen Pads
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vds
-12 V
Id
-3,2 A
RDSon
59 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Geräte

Datenblatt

THBT-S-A0000218212-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMXB65UPEZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der für hochdichte SMD-Anwendungen entwickelt wurde.