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PMZ600UNEYL KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMZ600UNEYL product

PMZ600UNEYL

FETs

MOSFETN-Kanal20VDFN1006-3

Der PMZ600UNE ist ein 20V N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten DFN1006-3-Gehäuse, ideal für platzkritische Schalt- und Laststeuerungsanwendungen.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • Lastschalter
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 360mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
0,6 A
RDS(on)
470 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromversorgungAllgemein

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMZ600UNEYL laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, untergebracht in einem ultrakleinen DFN1006-3 (SOT883) Gehäuse.