ProjektePreiseInsights

PMZB320UPEYL KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PMZB320UPEYL product

PMZB320UPEYL

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal30VDFN1006B-3

Der PMZB320UPEYL ist ein 30V P-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten DFN1006B-3-Gehäuse, ideal für platzkritische Schalt- und Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • High-Side-Lastschalter
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-1 A
RDS(on)
430 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PMZB320UPEYL laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der in einem ultrakleinen DFN1006B-3-Gehäuse untergebracht ist.