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PNLS252012-6R8M 6.8UH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PNLS252012-6R8M 6.8UH product

PNLS252012-6R8M 6.8UH

Chokes

DrahtgewickeltLeistungsinduktorSMD

Der PNLS252012-6R8M ist ein 6,8µH drahtgewickelter Chip-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, der für niedrigen Gleichstromwiderstand (DCR) und hohen Sättigungsstrom in kompakten Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Smartphone-Stromversorgung
  • Tragbare Spielgeräte
  • Kompakte DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 1A
  • Umgebungen über 85°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Sättigungsstromgrenzen
  • Wärmeableitung in kompakten Layouts

Wichtige Specs

Induktivität
6,8 µH
Sättigungsstrom
1 A
Max. DCR
325 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikStromversorgung

Datenblatt

722e93d915ae14e5277cf6d28e31c6a8_DMBJ(振宝佳)&PNLS252012-6R8M 6.8UH.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PNLS252012-6R8M 6.8UH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen drahtgewickelten Chip-Leistungsinduktor von DMBJ mit einer Nenninduktivität von 6,8µH und einem 2520-Gehäuse (2,5mm x 2,0mm).