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PNMT8N1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PNMT8N1 product

PNMT8N1

MOSFETs - Single

KombiniertPNPN-MOSFETDFN

Der PNMT8N1 ist ein kompaktes Kombinationsbauteil, das einen PNP-Transistor und einen N-Kanal-MOSFET in einem DFN3*2*0.75-Gehäuse vereint, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltungen
  • Signalaufbereitung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 3A oder 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Transistor VCEO
-30 V
MOSFET VDS
20 V
Gehäuse
DFN3*2*0.75

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

12c330726df1596089f7d457b54a00e7_datasheet.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PNMT8N1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein kombiniertes Halbleiterbauteil von Prisemi, das einen PNP-Epitaxial-Planartransistor und einen N-Kanal-MOSFET in einem einzigen DFN3*2*0.75-Gehäuse integriert.