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PNR201610-3R3M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PNR201610-3R3M product

PNR201610-3R3M

Chokes

LeistungsinduktivitätSMDGeschirmt

Die PNR201610-3R3M ist eine geschirmte, drahtgewickelte SMD-Leistungsinduktivität für kompakte Elektronik mit 3,3 µH und 1,1 A Nennstrom.

Ideal für

  • Smartphones
  • Tragbare Spielgeräte
  • Notebooks

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Sättigungsströmen über 1,4 A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Nennstrom
1,1 A
Sättigungsstrom
1,4 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

7e3f024ee9d27b59de14ae45857a9a78_2403182340_APV-PNR201610-3R3M_C7497130.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PNR201610-3R3M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine drahtgewickelte SMD-Leistungsinduktivität von APV mit Ferritkern und magnetischer Schirmung zur EMI-Reduzierung.