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PSMN8R9-100BSE,118 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PSMN8R9-100BSE,118 product

PSMN8R9-100BSE,118

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VD2PAK

Der PSMN8R9-100BSE ist ein robuster 100V N-Kanal-MOSFET im D2PAK-Gehäuse, optimiert für Hot-Swap- und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hot-Swap-Controller
  • Lastschalter
  • Telekommunikations-Stromschienen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als D2PAK erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
100 V
RDSon
10 mOhm
ID
75 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungTelekommunikation

Datenblatt

139886d27dd096c673287c6cfdd3950c_2308091728_Nexperia-PSMN8R9-100BSE-118_C6423734.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PSMN8R9-100BSE,118 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse mit einer Spannungsfestigkeit von 100V und einem Strom von 75A.