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PSPNAQ4020-1R0N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PSPNAQ4020-1R0N product

PSPNAQ4020-1R0N

Chokes

SMD-InduktorLeistungsinduktor4020-Gehäuse

Der PSPNAQ4020-1R0N ist ein 1µH SMD-Leistungsinduktor für Hochstromanwendungen mit einem Sättigungsstrom von 4,85A und einem Nennstrom von 2,15A im kompakten 4x4mm-Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Stromversorgungsmodule
  • Allgemeine Leistungsfilterung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extremen thermischen Anforderungen über 125°C
  • Hochfrequenzschaltungen, bei denen DCR-Verluste kritisch sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie den Induktivitätsabfall von 30% bei Isat

Wichtige Specs

Induktivität
1 µH
Sättigungsstrom
4,85 A
Nennstrom
2,15 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

8494b2704956def6bd44259b47aeff65_2304140030_PROD-Tech-PSPNAQ4020-1R0N_C436655.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PSPNAQ4020-1R0N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 1µH (±20%), einen Gleichstromwiderstand (DCR) von 0,029Ω, einen Sättigungsstrom (Isat) von 4,85A und einen Nennstrom (Irms) von 2,15A.