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PUMH10,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PUMH10,115 product

PUMH10,115

Power Management (PMIC)

NPNRETDual-TransistorSOT363

Der PUMH10 ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET), der für platzsparende digitale Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Peripherietreiber
  • IC-Eingangssteuerung
  • Digitale Logikschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 100mA
  • Anwendungen, die einstellbare Bias-Widerstände erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Leistungsderating-Kurve
  • Eingangsspannungsschwellen

Wichtige Specs

VCEO (Max)
50 V
IO (Max)
100 mA
R1
2,2 kΩ
R2
47 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

AllgemeinIndustrie

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PUMH10,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der PUMH10 ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) im SOT363-Gehäuse, der über eingebaute Bias-Widerstände (R1=2,2kΩ, R2=47kΩ) zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns verfügt.