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PUMH17,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PUMH17,115 product

PUMH17,115

Bipolar (BJT)

NPNRETDual-TransistorSOT363

Der PUMH17,115 ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (RET), der sich ideal für platzsparende digitale Schaltanwendungen und IC-Eingangssteuerungen eignet.

Ideal für

  • Digitale Schaltkreise
  • IC-Eingangssteuerung
  • Peripherietreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die 300mW Gesamtverlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Bauteildichte

Wichtige Specs

Konfiguration
Dual NPN
VCEO
50 V
R1/R2
47kΩ / 22kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

UnterhaltungselektronikIndustriesteuerungen

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PUMH17,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=47kΩ, R2=22kΩ) im SOT363-Gehäuse.