ProjektePreiseInsights

PUMH9,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PUMH9,115 product

PUMH9,115

Bipolar (BJT)

NPNRETDoppeltransistorSOT363

Der PUMH9 ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen, ideal für platzsparende digitale Schaltanwendungen und IC-Eingangssteuerungen.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • IC-Eingangssteuerung
  • Automobil- und Industrie-Segmente

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100mA
  • Anwendungen, die Transistoren ohne Bias-Widerstände erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastbarkeit bei hohen Umgebungstemperaturen
  • Eingangsspannungspolarität

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ
R2
47 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

IndustrieAutomobilAllgemeine Digitaltechnik

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PUMH9,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der PUMH9 ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (RET) im SOT363-Gehäuse, der das Schaltungsdesign durch den Wegfall externer Widerstände vereinfacht.