ProjektePreiseInsights

PZT5551G-B-AA3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PZT5551G-B-AA3-R product

PZT5551G-B-AA3-R

Discrete Semiconductor Products

NPNHochspannungSchalttransistorSOT-223

Der PZT5551G-B-AA3-R ist ein Hochspannungs-NPN-Schalttransistor von UTC, der für Anwendungen bis 160V VCEO und 600mA Strom im SOT-223-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Logikschaltungen, bei denen eine niedrigere Sättigungsspannung erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
160V
IC
600mA
hFE Rang B
150-240

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungIndustriesteuerung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PZT5551G-B-AA3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Hochspannungstransistor für Schaltanwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 160V.