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PZT651T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PZT651T1G product

PZT651T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorSOT-223Mittlere Leistung

Der PZT651T1G ist ein NPN-Silizium-Planar-Epitaxial-Transistor für mittlere Leistungen im SOT-223-Gehäuse, der für industrielle und kommerzielle Anwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Industrielle Anwendungen mit mittlerer Leistung
  • Unterhaltungselektronik
  • Leistungsmanagement in SMD-Bauweise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung deutlich über 0,8 W ohne ausreichende Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout

Wichtige Specs

VCEO
60 V
IC
2 A
Gehäuse
SOT-223

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

LeistungsmanagementIndustrie

Datenblatt

PZT651T1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PZT651T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Planar-Epitaxial-Transistor, der für Anwendungen mit mittlerer Leistung in der Oberflächenmontage entwickelt wurde.