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QA123C-1803R3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

QA123C-1803R3 product

QA123C-1803R3

MOSFETs - Single

DC/DC-WandlerSiC-Treiber-StromversorgungIsoliert

Das QA123C-1803R3 ist ein spezialisiertes 2,1-W-DC/DC-Leistungsmodul für SiC-MOSFET-Treiber mit asymmetrischen +18V/-3V-Ausgängen und 5,0kVAC-Isolierung.

Ideal für

  • SiC-MOSFET-Gate-Treiber
  • Industrielle Wechselrichter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Hot-Swapping-Anforderungen
  • Systeme, die eine Parallelschaltung zur Leistungserhöhung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Stabilität der Eingangsspannung
  • ESR der Ausgangskondensatoren

Wichtige Specs

Eingangsspannung
10,8V - 13,2V
Ausgangsspannung
+18V / -3V
Isolierung
5,0kVAC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

cc6772f17d237f6e1d158e7a01d168d8_QA123C-1803R3.html.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für QA123C-1803R3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein isoliertes DC/DC-Modul, das speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs entwickelt wurde und eine asymmetrische Ausgangsspannung zur Effizienzsteigerung bietet.