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Rclamp3311P-N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Rclamp3311P-N product

Rclamp3311P-N

Transient Voltage Suppressors (TVS)

ESD-SchutzBidirektionalDFN1006TVS-Diode

Die Rclamp3311P-N ist eine kompakte, bidirektionale ESD-Schutzdiode für den Schutz von Datenleitungen in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Mobiltelefone
  • Tragbare Messgeräte
  • Schnittstellenschutz

Vermeiden, wenn

  • Signalleitungen mit extrem niedriger Kapazität (<1pF)
  • Systeme mit Betriebsspannungen über 3,3V

Vor der Verwendung prüfen

  • Signalintegrität der Datenleitungen
  • Maximale transiente Spannungspegel

Wichtige Specs

VRWM
3,3 V
Spitzenimpulsleistung
80 W
Gehäuse
DFN1006

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikTragbare Geräte

Datenblatt

5496a9248fef965f4f529802a1052859_1912111437_BORN-Rclamp3311P-N_C406234.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Rclamp3311P-N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine bidirektionale ESD-Schutzdiode von BORN Semiconductor, die speziell für den Schutz empfindlicher Schaltkreise vor elektrostatischer Entladung entwickelt wurde.