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RD3P200SNFRATL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RD3P200SNFRATL-HXY product

RD3P200SNFRATL-HXY

FETs

MOSFETN-Kanal100VDPAK

Der RD3P200SNFRATL ist ein 100V, 30A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

c75ea6198585efaac57895d227a5b1ca_2403261740_HXY-MOSFET-RD3P200SNFRATL-HXY_C22367065.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RD3P200SNFRATL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und für niedrigen RDS(ON) sowie niedrige Gate-Ladung optimiert ist.