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RFD16N05LS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RFD16N05LS-HXY product

RFD16N05LS-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VTO-252

Der RFD16N05LS ist ein 60V, 20A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Dauer-Drainstrom
20 A
Einschaltwiderstand
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungBatterieschutz

Datenblatt

b2fe1a6d348d1c4108b3c269e1d173b5_HXY MOSFET(华轩阳电子)&RFD16N05LS-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RFD16N05LS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand nutzt.