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RN1106MFV,L3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RN1106MFV,L3F product

RN1106MFV,L3F

Bipolar (BJT)

NPNPre-BiasedAEC-Q101VESM

Der RN1106MFV ist ein kompakter, AEC-Q101-qualifizierter NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (4,7kΩ/47kΩ), ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltungen
  • Automotive-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1/R2
4,7kΩ / 47kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

SchaltanwendungenAutomotive

Datenblatt

c7193e441c4440c9ef35fee495c95e6c_2301111830_TOSHIBA-RN1106MFV-L3F_C5349733.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RN1106MFV,L3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen im ultrakleinen VESM-Gehäuse.