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RN1107MFV,L3F(CT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RN1107MFV,L3F(CT product

RN1107MFV,L3F(CT

Power Management (PMIC)

NPNPre-BiasedAEC-Q101SOT-723

Der RN1107MFV ist ein kompakter NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (10kΩ/47kΩ), ideal für platzsparende Schalt- und Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltungen
  • Inverter- und Treiberstufen
  • Automobilanwendungen (AEC-Q101 qualifiziert)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 150mW Verlustleistung
  • Schaltungen, die andere Widerstandsverhältnisse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte
  • Lötpad-Abmessungen für das VESM-Gehäuse

Wichtige Specs

R1
10 kΩ
R2
47 kΩ
VCEO
50 V
IC
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

SchaltanwendungenAutomobil

Datenblatt

2164d5f57bffe0871d9171c802ac6f8c_2311151858_TOSHIBA-RN1107MFV-L3F-CT_C17532991.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RN1107MFV,L3F(CT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der RN1107MFV ist ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen, der die Anzahl externer Bauteile in kompakten Schaltungen reduziert.