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RN1311,LF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RN1311,LF product

RN1311,LF

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNPre-biasedTransistor

Der RN1311 ist ein NPN-Transistor mit integrierten Basiswiderständen für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Schaltkreise
  • Inverterschaltungen
  • Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangswiderstandswert

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenIndustrielle Treiber

Datenblatt

6aa20c7bca7dd02cbbe214cb34df99f1_1809271214_TOSHIBA-RN1311-LF_C85639.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RN1311,LF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der RN1311 ist ein NPN-Silizium-Epitaxialtransistor mit eingebauten Bias-Widerständen, der die Schaltungsentwicklung durch Reduzierung externer Bauteile vereinfacht.