ProjektePreiseInsights

RTE002P02-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RTE002P02-HXY product

RTE002P02-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-523

Der RTE002P02 ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET im SOT-523-Gehäuse, der für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20V
ID
-0,66A
RDS(on)
<560mΩ (@-4,5V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

97749e821d308370a6b14b52bb1d9927_2403261740_HXY-MOSFET-RTE002P02-HXY_C22367059.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RTE002P02-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.