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RZR025P01TL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

RZR025P01TL-HXY product

RZR025P01TL-HXY

MOSFETs

P-KanalMOSFETSOT-23

Der RZR025P01TL ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Power-Management optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4.2 A
RDS(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementLastschaltung

Datenblatt

41261c667d64e003eddf9b85914d9ba9_2404231036_HXY-MOSFET-RZR025P01TL-HXY_C22367046.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für RZR025P01TL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand bei Gate-Spannungen ab 2,5V ausgelegt ist.