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S-LBSS5240LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S-LBSS5240LT1G product

S-LBSS5240LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPSOT-23Niedrige Sättigungsspannung

Der S-LBSS5240LT1G ist ein -40V, -2A PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen mit niedriger Sättigungsspannung.

Ideal für

  • Batteriebetriebene Geräte
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,3W

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VCEO
-40 V
IC
-2 A
VCE(sat)
-350 mV

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementAutomobil

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LBSS5240LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor, der für eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ausgelegt ist und sich für Hochstrom-Schaltanwendungen eignet.