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S-LDTB123YLT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S-LDTB123YLT1G product

S-LDTB123YLT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPPre-BiasedAEC-Q101SOT-23

Der S-LDTB123YLT1G ist ein AEC-Q101-qualifizierter PNP-Transistor mit integrierten 2,2kΩ/10kΩ-Widerständen, ideal für platzsparende Inverter- und Treiberschaltungen.

Ideal für

  • Automotive-Inverterschaltungen
  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Schnittstellentreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Schaltgeschwindigkeiten über der Transitfrequenz von 200MHz erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

Transistortyp
PNP Pre-Biased
R1 / R2
2,2 kΩ / 10 kΩ
Max. Kollektorstrom
-500 mA
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomotiveIndustrie

Datenblatt

2698ac9a22bb77aac4aac2cb1ca77834_2404091719_LRC-S-LDTB123YLT1G_C5368877.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LDTB123YLT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Transistor für die Oberflächenmontage mit integriertem Bias-Widerstandsnetzwerk zur Vereinfachung von Inverter- und Treiberschaltungen.