ProjektePreiseInsights

S-LMBT5551DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S-LMBT5551DW1T1G product

S-LMBT5551DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNTransistorAEC-Q101

Der S-LMBT5551DW1T1G ist ein dualer NPN-Kleinsignaltransistor für die Oberflächenmontage, der sich durch hohe Spannungsfestigkeit und AEC-Q101-Qualifizierung auszeichnet.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die die thermischen Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
140 V
IC
600 mA
hFE
80 - 250

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

4dbe43f85ff43c153bdc89cf86884e9f_2303141000_LRC-S-LMBT5551DW1T1G_C2936696.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LMBT5551DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Kleinsignaltransistor im kompakten SOT-363 (SC-88) SMD-Gehäuse.