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S-LMBT5551LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S-LMBT5551LT1G product

S-LMBT5551LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungAEC-Q101SOT-23

Der S-LMBT5551LT1G ist ein AEC-Q101-qualifizierter Hochspannungs-NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse, ideal für Automobil- und Industriesteuerungen.

Ideal für

  • Automobil-Steuerschaltungen
  • Hochspannungsschaltung
  • Industrielle Signalverarbeitung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung deutlich über 225mW erfordern
  • Hochfrequenz-HF-Anwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement auf der Leiterplatte
  • Spannungstransienten in der Zielschaltung

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
80 - 250

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrie

Datenblatt

e0c3744930250042825ec5b7e35f16f0_2201121800_LRC-S-LMBT5551LT1G_C2936715.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LMBT5551LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-NPN-Bipolartransistor (BJT), der für Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt wurde und AEC-Q101-qualifiziert ist.