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S-LMUN5211DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S-LMUN5211DW1T1G product

S-LMUN5211DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual NPNBRTAEC-Q101SOT-363

Der S-LMUN5211DW1T1G ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen im SC-88-Gehäuse, optimiert für platzkritische Automotive- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Automotive-Steuerschaltungen
  • Platzsparende PCB-Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Schaltanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei Erwärmung beider Sperrschichten

Wichtige Specs

Konfiguration
Dual NPN
VCEO
50 V
IC Max
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomotiveAllgemeines Schalten

Datenblatt

a7111c5906de883458bb844c70149407_2206071616_LRC-S-LMUN5211DW1T1G_C2932892.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LMUN5211DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT), der zwei Transistoren und die zugehörigen Bias-Netzwerke in einem einzigen SOT-363-Gehäuse vereint.