S-LNP2010DT2AG Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | LRC | PartGenie

KI-Zusammenfassung

S-LNP2010DT2AG product

Der S-LNP2010DT2AG ist ein komplementäres 20V-MOSFET-Array (N-Kanal und P-Kanal) im DFN2020-6D-Gehäuse, konzipiert für Automobil- und Leistungsmanagementanwendungen.

Ideal für

Automobil-Leistungsmanagement
Kompakte Schaltkreise

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen, die die thermischen Grenzen des DFN2020 überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS: 20V / -20V
ID: 6A / -4,7A
Gehäuse: DFN2020-6D

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

AutomobilLeistungsmanagement

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S-LNP2010DT2AG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären Trench-MOSFET, der einen N-Kanal- und einen P-Kanal-Transistor in einem einzigen DFN2020-6D-Gehäuse enthält.