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S12N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S12N10 product

S12N10

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTrench

Der S12N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandleranwendungen, insbesondere synchrone Abwärtswandler, entwickelt wurde.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeines Schalten von Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Rds(on) unter 50mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
12 A
Rds(on)
95 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

843f87ad602893abd5e9cc667b3ecdf5_2310271811_HL-S12N10_C19100370.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S12N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der S12N10 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für 100V und 12A ausgelegt ist und für schnelles Schalten optimiert wurde.