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S1M040120D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S1M040120D product

S1M040120D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungselektronik

Der S1M040120D ist ein 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungselektronik optimiert ist und geringe Schaltverluste sowie eine robuste thermische Leistung bis 175°C bietet.

Ideal für

  • Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge
  • Industrielle Netzteile
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Si-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Treiber-Spannung
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
73 A
RDS(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungAutomobil

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S1M040120D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET im TO-247-3L Gehäuse, der für die Hochspannungs-Leistungswandlung entwickelt wurde.