Was sind die wichtigsten Spezifikationen des S1M040120H?

Er bietet eine Durchbruchspannung von 1200V, einen typischen Einschaltwiderstand von 40mΩ und einen Dauerstrom von 76A.

Wie lautet das Pinout von S1M040120H?

Nutzen Sie das Datenblatt von S1M040120H für das offizielle Pinout und die Pin-Namen. In PartGenie können Sie Datasheet AI zu Pinout, Versorgung und Schnittstellen von S1M040120H befragen.

S1M040120H Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | SICHAIN(清纯)

KI-Zusammenfassung

Der S1M040120H ist ein 1200V SiC-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellen Schaltzeiten, optimiert für EV- und Stromwandleranwendungen.

Ideal für

EV-Ladegeräte
DC-DC-Wandler
PFC-Stufen

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung
Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS: 1200 V
RDS(on): 40 mΩ
ID: 76 A

Anwendung

LeistungselektronikAutomobil

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET für hocheffiziente Leistungsanwendungen.