Was sind die Hauptanwendungen für diesen MOSFET?

Er wird hauptsächlich in On-Board-Ladegeräten (OBC), EV-Batterieladegeräten, DC-DC-Wandlern und Schaltnetzteilen eingesetzt.

Wie lautet das Pinout von S1M075120H2?

Nutzen Sie das Datenblatt von S1M075120H2 für das offizielle Pinout und die Pin-Namen. In PartGenie können Sie Datasheet AI zu Pinout, Versorgung und Schnittstellen von S1M075120H2 befragen.

S1M075120H2 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | SICHAIN(清纯)

KI-Zusammenfassung

Der S1M075120H2 ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlungen in EV- und Industrieanwendungen optimiert ist.

Ideal für

EV-Ladeinfrastruktur
Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen Si-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Treiberspannungspegel
Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS: 1200 V
ID: 44 A
RDS(on): 75 mΩ

Anwendung

LeistungswandlungAutomobil

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.