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S60N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S60N10 product

S60N10

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTrench

Der S60N10 ist ein 100V, 60A N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Allgemeines Schalten von Strom

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout

Wichtige Specs

BVDSS
100 V
ID
60 A
RDS(on)
13,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

30dd88356c2134b3c0f71815d8b97d6a_2308071627_HL-S60N10_C7471099.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S60N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der S60N10 ist ein leistungsstarker N-Kanal-Trench-MOSFET, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand in Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.