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S8050M-D HY3D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S8050M-D HY3D product

S8050M-D HY3D

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTSOT-23Verstärker

Der S8050M-D ist ein Standard-NPN-Leistungstransistor im SOT-23-Gehäuse, ideal für allgemeine Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkung
  • Leistungsverstärker

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 25V
  • Anwendungen über 800mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im SOT-23-Gehäuse
  • hFE-Klassifizierung

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
800 mA
hFE
160-300

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsverstärkerAllgemeine Anwendung

Datenblatt

70f1bc4048717368827ef1d4fea8f161_BLUE ROCKET(蓝箭)&S8050M-D HY3D.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S8050M-D HY3D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-NPN-Bipolartransistor (BJT) im SOT-23-Gehäuse, der häufig in Leistungsverstärkerschaltungen eingesetzt wird.