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S8N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

S8N10 product

S8N10

MOSFETs - Single

N-Kanal100VMOSFETSOT-89-3L

Der S8N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-89-3L-Gehäuse, der für kleine Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 6,5A
  • Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

BVDSS
100 V
ID
6,5 A
RDS(on)
110 mΩ (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungLastschalter

Datenblatt

b91e273ffb25db93288f3568929661d4_2310121801_HL-S8N10_C18164397.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für S8N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der S8N10 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte für effiziente Schaltanwendungen.