ProjektePreiseInsights

SBAS40LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SBAS40LT1G product

SBAS40LT1G

Diodes - Rectifiers - Single

Package: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3onsemiDiodes - Rectifiers - SingleSeries: -Package: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 VCurrent - Average Rectified (Io): 120mAVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA

Die SBAS40LT1G ist eine 40V, 120mA Schottky-Barriere-Diode im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Spannungsbegrenzung.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeitsschaltungen
  • Spannungsbegrenzung
  • Stromkreisschutz

Vermeiden, wenn

    Vor der Verwendung prüfen

      Wichtige Specs

      Sperrspannung
      40 V
      Durchlassstrom
      120 mA
      Gehäuse
      SOT-23

      Compliance & Umwelt

      RoHS
      ROHS3 Compliant
      REACH
      REACH Unaffected
      MSL
      1 (Unlimited)
      ECCN
      EAR99
      HTSUS
      8541.10.0070

      Anwendung

      Allgemein

      Datenblatt

      ON-Semiconductor-company-79.pdf

      800 KB

      Datasheet AI

      CAD-Modelle

      ECAD-Modelle für SBAS40LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

      EDA-Symbol
      Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
      Dateien holen
      PCB-Footprint
      Landpattern für das PCB-Layout
      Dateien holen
      3D-Modell
      STEP-Datei für die Mechanik
      Dateien holen
      KiCad-Bibliothek
      Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
      Bibliothek erzeugen

      Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

      Bezugsquellen

      Real-time and catalog pricing from verified distributors

      Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

      Alternative Bauteile

      Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

      Design- und Risiko-Insights

      Fragen & Antworten

      Es handelt sich um eine Schottky-Barriere-Diode von onsemi, die für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Stromkreisschutz und Spannungsbegrenzung in platzkritischen Anwendungen entwickelt wurde.