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SCT1000N170 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCT1000N170 product

SCT1000N170

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1700VLeistungs-MOSFET

Der SCT1000N170 ist ein 1700 V SiC-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungen in Server- und Schaltnetzteilen optimiert ist.

Ideal für

  • Server-Netzteile
  • Hochspannungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Si-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung
  • Wärmeableitung bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

VDS
1700 V
ID
7 A
RDS(on)
1,3 Ω
Gehäuse
HiP247

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

fead08c3672cd61b5875f1ce971d1ea1_2211080730_STMicroelectronics-SCT1000N170_C2970166.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCT1000N170 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 1700 V, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.