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SCT3080KLGC11 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCT3080KLGC11 product

SCT3080KLGC11

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VHohe Effizienz

Der SCT3080KL ist ein leistungsstarker 1200V SiC-N-Kanal-MOSFET für hocheffiziente Stromwandleranwendungen.

Ideal für

  • Solar-Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung und thermisches Management.

Wichtige Specs

VDSS
1200 V
ID
31 A
RDS(on)
80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCT3080KLGC11 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 1200V N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von ROHM, optimiert für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand.