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SCT3120ALGC11 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SCT3120ALGC11 product

SCT3120ALGC11

MOSFETs - Single

SiC MOSFETLeistungstransistor650V

Der SCT3120ALGC11 ist ein leistungsstarker 650V N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET von ROHM, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand in Leistungselektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Solarwechselrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
650V
Kontinuierlicher Drain-Strom
21A
Einschaltwiderstand
120mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

SCT3120ALGC11-Rohm-datasheet-67210004.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SCT3120ALGC11 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand (120mΩ) und schnellen Schalteigenschaften für effiziente Stromwandler.